发光二极管芯片越亮，發熱量越大，還是芯片越暗，發熱量越大？相信很多人都會認為是芯片越暗，發熱量越大，因為更多都是能量轉化成了熱能。但是，事實並非如此，发光二极管芯片越亮，發熱量可能越大，也可能會越小，這是因為電流密度大小會決定芯片的光功率和熱功率大小，同時溫度也會影響芯片的發光效率。

  那麽如何分析发光二极管芯片的發光發熱性能並加以利用？下面我們將通過顯微光熱分布測試系統進行測試分析

（壹）環境溫度影響发光二极管芯片的發光和發熱性能

  實際工作溫度對於发光二极管芯片的光熱性能至關重要！以下為顯微光熱分布測試系統在不同溫度下測得的发光二极管芯片光熱分布圖對比，同時給出了在不同溫度下发光二极管芯片亮度的變化情況。

  1. 隨著溫度的升高，發光強度呈下降趨勢，且溫度越高，光衰趨勢越大。发光二极管支架引腳溫度由80℃升高到120℃時，发光二极管芯片溫度升高約45℃，發光強度衰減高達30.6%！

  2. 溫度越高，发光二极管芯片光分布均勻性越差。這是因為溫度影響著材料的性能，高溫使得芯片電流擴展能力變差。

  3. 因此，在非實際使用溫度環境下的測試數據，是不準確的！

（二）发光二极管芯片發光與發熱並不成正比

  同壹个发光二极管芯片，通過顯微光熱分布測試系統在不同電流下的測試數據，发光二极管芯片亮度和溫度隨電流的變化關系曲線。測試發現发光二极管芯片發光與發熱並不成正比。

  1.該发光二极管芯片規定的額定電流為450mA，超電流使用，发光二极管芯片會更亮；但是過度的超電流，產生的將不再是光能，而是熱能，這將危害发光二极管芯片的壽命。

  ①发光二极管芯片的額定電流為450mA，超電流590mA使用時，亮度提升約9.3%，发光二极管芯片溫度升高41.2℃，約46.2%。

  ②過度超電流760mA使用時，亮度無提升，发光二极管芯片溫度升高122.7℃，約137.6%。過度超電流，亮度不變，溫度升高超過2倍！

  2.隨著加載電流的增大，发光二极管芯片亮度逐漸增加，達到最大值後開始出現衰減，而发光二极管芯片溫度卻是隨著電流的增大而急劇增加！ 

  3. 在大電流下，再增加電流，发光二极管芯片並不會變的更亮，甚至會變暗。這是因為发光二极管芯片存在高驅動電流下“量子效率下降”的問題。