发光二极管芯片光热分布测试

來源:发光二极管  作者:发光二极管  日期:2019年10月24日

  通过光热分布测试,能清晰观察到发光二极管芯片电流密度均匀性问题,更加全面的评估芯片质量,有效辨别发光二极管芯片厂家质量好坏。

发光二极管芯片光热分布测试

  1. 发光二极管结构芯片,欧姆接触电极在芯片的同一侧,电流不可避免的要横向传输,电流密度会随着电极距离的远近而发生变化,即正负电极靠近的地方,电流密度会较大,使得电流密度不均匀已成为水平结构发光二极管固有的技术瓶颈。

  2. 许多与发光二极管芯片制造相关的关键技术问题尚未完全解决,特别是大功率发光二极管芯片的设计、制造工艺中材料的选择以及工艺参数等问题,使得电流密度均匀性存在较大的可优化空间,各家芯片(无论是水平结构还是垂直结构)在电流密度均匀性方面会存在较大的差异。

  3. 发光二极管芯片内部产生电流聚集效应,会导致发光二极管芯片电注入效率下降、发光不均匀、局部热量集中等不良现象,从而影响发光二极管芯片的性能及可靠性。


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